IRF9389TRPBF

Symbol Micros: TIRF9389
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Gehäuse: SOP08
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N/P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 40mOhm/103mOhm; 6,8 A/4,6 A; 2W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRF9389PBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 103mOhm
Max. Drainstrom: 6,8A
Maximaler Leistungsverlust: 2W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N/P-MOSFET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 103mOhm
Max. Drainstrom: 6,8A
Maximaler Leistungsverlust: 2W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N/P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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