IRF9520
Symbol Micros:
TIRF9520
Gehäuse: TO220
P-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 600 mOhm; 6,8A; 60W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRF9520PBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 600mOhm |
Max. Drainstrom: | 6,8A |
Maximaler Leistungsverlust: | 60W |
Gehäuse: | TO220 |
Hersteller: | VISHAY |
Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
Transistor-Typ: | P-MOSFET |
Hersteller: Siliconix
Hersteller-Teilenummer: IRF9520 RoHS
Gehäuse: TO220
Auf Lager:
360 stk.
Anzahl Stück | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 500+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,7851 | 0,4951 | 0,3890 | 0,3537 | 0,3419 |
Hersteller: Vishay
Hersteller-Teilenummer: IRF9520PBF
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
900 stk.
Anzahl Stück | 1+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,3431 |
Hersteller: Vishay
Hersteller-Teilenummer: IRF9520PBF
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
1900 stk.
Anzahl Stück | 450+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,3419 |
Hersteller: Vishay
Hersteller-Teilenummer: IRF9520PBF
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
550 stk.
Anzahl Stück | 350+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,3830 |
Widerstand im offenen Kanal: | 600mOhm |
Max. Drainstrom: | 6,8A |
Maximaler Leistungsverlust: | 60W |
Gehäuse: | TO220 |
Hersteller: | VISHAY |
Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
Transistor-Typ: | P-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
Montage: | THT |
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