IRF9520

Symbol Micros: TIRF9520
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Gehäuse: TO220
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P-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 600 mOhm; 6,8A; 60W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRF9520PBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 600mOhm
Max. Drainstrom: 6,8A
Maximaler Leistungsverlust: 60W
Gehäuse: TO220
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Hersteller: Siliconix Hersteller-Teilenummer: IRF9520 RoHS Gehäuse: TO220  
Auf Lager:
490 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 100+ 400+
Nettopreis (EUR) 0,8294 0,5209 0,4090 0,3861 0,3610
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Standard-Verpackung:
50
Widerstand im offenen Kanal: 600mOhm
Max. Drainstrom: 6,8A
Maximaler Leistungsverlust: 60W
Gehäuse: TO220
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT

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