IRF9520

Symbol Micros: TIRF9520
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
P-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 600 mOhm; 6,8A; 60W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRF9520PBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 600mOhm
Max. Drainstrom: 6,8A
Maximaler Leistungsverlust: 60W
Gehäuse: TO220
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Hersteller: Siliconix Hersteller-Teilenummer: IRF9520 RoHS Gehäuse: TO220  
Auf Lager:
490 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 100+ 400+
Nettopreis (EUR) 0,8378 0,5262 0,4131 0,3900 0,3647
Standard-Verpackung:
50
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRF9520PBF Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
1900 stk.
Anzahl Stück 50+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,3647
Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRF9520PBF Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
1250 stk.
Anzahl Stück 25+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,7261
Standard-Verpackung:
25
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 600mOhm
Max. Drainstrom: 6,8A
Maximaler Leistungsverlust: 60W
Gehäuse: TO220
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT