IRF9540PBF

Symbol Micros: TIRF9540
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
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P-MOSFET 19A 100V 150W 200mOhm; IRF9540PBF; IRF9540;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 200mOhm
Max. Drainstrom: 19A
Maximaler Leistungsverlust: 150W
Gehäuse: TO-220AB
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: Siliconix Hersteller-Teilenummer: IRF9540PBF RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
400 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 50+ 200+ 400+
Nettopreis (EUR) 1,3495 0,9446 0,7552 0,7197 0,7102
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Standard-Verpackung:
50/200
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRF9540PBF Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
10515 stk.
Anzahl Stück 150+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,7336
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Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRF9540PBF Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
1400 stk.
Anzahl Stück 25+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,7102
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Standard-Verpackung:
25
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 200mOhm
Max. Drainstrom: 19A
Maximaler Leistungsverlust: 150W
Gehäuse: TO-220AB
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT

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