IRF9540PBF
Symbol Micros:
TIRF9540
Gehäuse: TO220
P-MOSFET 19A 100V 150W 200mOhm; IRF9540PBF; IRF9540;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 200mOhm |
Max. Drainstrom: | 19A |
Maximaler Leistungsverlust: | 150W |
Gehäuse: | TO-220AB |
Hersteller: | VISHAY |
Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
Transistor-Typ: | P-MOSFET |
Hersteller: Siliconix
Hersteller-Teilenummer: IRF9540PBF RoHS
Gehäuse: TO220
Datenblatt
Auf Lager:
400 stk.
Anzahl Stück | 1+ | 5+ | 50+ | 200+ | 400+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 1,3337 | 0,9336 | 0,7464 | 0,7113 | 0,7020 |
Hersteller: Vishay
Hersteller-Teilenummer: IRF9540PBF
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
8015 stk.
Anzahl Stück | 200+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,7020 |
Hersteller: Vishay
Hersteller-Teilenummer: IRF9540PBF
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
2167 stk.
Anzahl Stück | 300+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,7020 |
Hersteller: Vishay
Hersteller-Teilenummer: IRF9540PBF
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
3715 stk.
Anzahl Stück | 300+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,7020 |
Widerstand im offenen Kanal: | 200mOhm |
Max. Drainstrom: | 19A |
Maximaler Leistungsverlust: | 150W |
Gehäuse: | TO-220AB |
Hersteller: | VISHAY |
Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
Transistor-Typ: | P-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
Montage: | THT |
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