IRF9540PBF

Symbol Micros: TIRF9540
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
P-MOSFET 19A 100V 150W 200mOhm; IRF9540PBF; IRF9540;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 200mOhm
Max. Drainstrom: 19A
Maximaler Leistungsverlust: 150W
Gehäuse: TO-220AB
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: Siliconix Hersteller-Teilenummer: IRF9540PBF RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
400 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 50+ 200+ 400+
Nettopreis (EUR) 1,3403 0,9382 0,7501 0,7148 0,7054
Standard-Verpackung:
50/200
Widerstand im offenen Kanal: 200mOhm
Max. Drainstrom: 19A
Maximaler Leistungsverlust: 150W
Gehäuse: TO-220AB
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT