IRF9540N

Symbol Micros: TIRF9540n
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
P-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 117 mOhm; 23A; 140 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRF9540; IRF9540NPBF; IRF9540PBF; IRF 9540 N PBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 117mOhm
Max. Drainstrom: 23A
Maximaler Leistungsverlust: 140W
Gehäuse: TO220
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF9540NPBF RoHS Gehäuse: TO220  
Auf Lager:
1565 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 0,9555 0,7007 0,5619 0,4823 0,4550
Standard-Verpackung:
50/1000
Widerstand im offenen Kanal: 117mOhm
Max. Drainstrom: 23A
Maximaler Leistungsverlust: 140W
Gehäuse: TO220
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT