IRF9540NSTRLPBF

Symbol Micros: TIRF9540ns
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
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P-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 117 mOhm; 23A; 140 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRF9540NSPBF; IRF9540NSTRLPBF; IRF9540NSTRRPBF; IRF9540NSPBF-GURT; IRF9540NSTRR; IRF9540NS;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 117mOhm
Max. Drainstrom: 23A
Maximaler Leistungsverlust: 140W
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRF9540NSTRLPBF RoHS Gehäuse: TO263 (D2PAK) Datenblatt
Auf Lager:
200 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 30+ 200+ 400+
Nettopreis (EUR) 1,0095 0,6699 0,5340 0,4872 0,4802
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Standard-Verpackung:
200
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF9540NSTRLPBF RoHS Gehäuse: TO263t/r (D2PAK)  
Auf Lager:
25 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 30+ 200+ 400+
Nettopreis (EUR) 1,0095 0,6699 0,5340 0,4872 0,4802
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Standard-Verpackung:
800
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF9540NSTRLPBF Gehäuse: TO263 (D2PAK)  
Externes Lager:
1600 stk.
Anzahl Stück 800+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,5006
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Standard-Verpackung:
800
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF9540NSTRLPBF Gehäuse: TO263 (D2PAK)  
Externes Lager:
98350 stk.
Anzahl Stück 800+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,5319
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Standard-Verpackung:
800
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF9540NSTRLPBF Gehäuse: TO263 (D2PAK)  
Externes Lager:
6400 stk.
Anzahl Stück 800+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,5106
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Standard-Verpackung:
800
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 117mOhm
Max. Drainstrom: 23A
Maximaler Leistungsverlust: 140W
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD

Symbol Micros

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