IRF9630PBF JSMICRO

Symbol Micros: TIRF9630 JSM
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
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P-Channel-MOSFET-Transistor; 200V; 20V; 420mOhm; 10A; 78W; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: IRF9630PBF; IRF9630PBF-BE3;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 420mOhm
Max. Drainstrom: 10A
Maximaler Leistungsverlust: 78W
Gehäuse: TO220
Hersteller: JSMICRO
Max. Drain-Source Spannung: 200V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: JSMSEMI Hersteller-Teilenummer: IRF9630PBF RoHS Gehäuse: TO220  
Auf Lager:
100 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,8021 0,5074 0,3999 0,3648 0,3484
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Standard-Verpackung:
50
Widerstand im offenen Kanal: 420mOhm
Max. Drainstrom: 10A
Maximaler Leistungsverlust: 78W
Gehäuse: TO220
Hersteller: JSMICRO
Max. Drain-Source Spannung: 200V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

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