IRF9640PBF

Symbol Micros: TIRF9640
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
P-Channel-MOSFET-Transistor; 200V; 20V; 500 mOhm; 11A; 125 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRF9640PBF; IRF9640;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 500mOhm
Max. Drainstrom: 11A
Maximaler Leistungsverlust: 125W
Gehäuse: TO220
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 200V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRF9640PBF Gehäuse: TO220  
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Geplantes Datum:
2026-07-17
Anzahl Stück: 250
Widerstand im offenen Kanal: 500mOhm
Max. Drainstrom: 11A
Maximaler Leistungsverlust: 125W
Gehäuse: TO220
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 200V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT