IRF9640S

Symbol Micros: TIRF9640s
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
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P-Channel-MOSFET-Transistor; 200V; 20V; 500 mOhm; 11A; 125 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRF9640SPBF; IRF9640STRLPBF; IRF9640STRRPBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 500mOhm
Max. Drainstrom: 11A
Maximaler Leistungsverlust: 125W
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 200V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Hersteller: Siliconix Hersteller-Teilenummer: IRF9640S RoHS Gehäuse: TO263 (D2PAK)  
Auf Lager:
100 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 1,1794 0,9001 0,7455 0,6532 0,6208
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Standard-Verpackung:
50
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRF9640STRRPBF Gehäuse: TO263 (D2PAK)  
Externes Lager:
2400 stk.
Anzahl Stück 800+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,6208
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Standard-Verpackung:
800
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRF9640SPBF Gehäuse: TO263 (D2PAK)  
Externes Lager:
2825 stk.
Anzahl Stück 25+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 1,0972
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Standard-Verpackung:
25
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRF9640SPBF Gehäuse: TO263 (D2PAK)  
Externes Lager:
8000 stk.
Anzahl Stück 1000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,6208
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Standard-Verpackung:
1000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRF9640STRLPBF Gehäuse: TO263 (D2PAK)  
Externes Lager:
14400 stk.
Anzahl Stück 800+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,6208
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Standard-Verpackung:
800
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 500mOhm
Max. Drainstrom: 11A
Maximaler Leistungsverlust: 125W
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 200V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

Symbol Micros

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