IRF9910TRPBF

Symbol Micros: TIRF9910 VBS
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOP08
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 12V; 4,3 Ohm; 10A; 2,7 W; -55°C~150°C; IRF9910TRPBF-VB;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 1,3Ohm
Max. Drainstrom: 10A
Maximaler Leistungsverlust: 2,7W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: VBS
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: VBsemi Hersteller-Teilenummer: IRF9910TRPBF-VB RoHS Gehäuse: SOP08t/r Datenblatt
Auf Lager:
100 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
Nettopreis (EUR) 0,7691 0,4816 0,3997 0,3577 0,3343
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Standard-Verpackung:
100
Widerstand im offenen Kanal: 1,3Ohm
Max. Drainstrom: 10A
Maximaler Leistungsverlust: 2,7W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: VBS
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 12V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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