IRF9952
Symbol Micros:
TIRF9952
Gehäuse: SOP08
2xN/P-Channel MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 150 mOhm/400 mOhm; 3,5 A/2,3 A; 2W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRF9952TRPBF; IRF9952PBF-GURT;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 400mOhm |
| Max. Drainstrom: | 3,5A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 2W |
| Gehäuse: | SOP08 |
| Hersteller: | Infineon (IRF) |
| Max. Drain-Source Spannung: | 30V |
| Transistor-Typ: | 2xN/P-MOSFET |
| Widerstand im offenen Kanal: | 400mOhm |
| Max. Drainstrom: | 3,5A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 2W |
| Gehäuse: | SOP08 |
| Hersteller: | Infineon (IRF) |
| Max. Drain-Source Spannung: | 30V |
| Transistor-Typ: | 2xN/P-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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