IRF9953

Symbol Micros: TIRF9953
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOP08
2xP-Channel MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 400 mOhm; 2,3A; 2W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 400mOhm
Maximaler Leistungsverlust: 2W
Max. Drainstrom: 2,3A
Gehäuse: SOP08
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: 2xP-MOSFET
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRF9953TRPBF RoHS Gehäuse: SOP08t/r Datenblatt
Auf Lager:
100 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
Nettopreis (EUR) 0,6723 0,4222 0,3515 0,3114 0,2925
Standard-Verpackung:
100
Widerstand im offenen Kanal: 400mOhm
Maximaler Leistungsverlust: 2W
Max. Drainstrom: 2,3A
Gehäuse: SOP08
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: 2xP-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Montage: SMD