IRF9953

Symbol Micros: TIRF9953

Gehäuse: SOP08

2xP-Channel MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 400 mOhm; 2,3A; 2W; -55 °C ~ 150 °C;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	400mOhm
Max. Drainstrom:	2,3A
Maximaler Leistungsverlust:	2W
Gehäuse:	SOP08
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	30V
Transistor-Typ:	2xP-MOSFET

Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRF9953TRPBF RoHS Gehäuse: SOP08t/r Datenblatt

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100 stk.

Anzahl Stück	2+	10+	30+	100+	400+
Nettopreis (EUR)	0,6718	0,4219	0,3512	0,3111	0,2923

Widerstand im offenen Kanal:	400mOhm
Max. Drainstrom:	2,3A
Maximaler Leistungsverlust:	2W
Gehäuse:	SOP08
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	30V
Transistor-Typ:	2xP-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD