IRF9Z24N

Name: TIRF9Z24n TIRF9Z24n
Brand: Infineon
SKU: TIRF9Z24n
Price: 0.2692 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TIRF9Z24n

Gehäuse: TO220

P-Channel-MOSFET-Transistor; 55V; 20V; 175 mOhm; 12A; 45W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRF9Z24NPBF;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	175mOhm
Max. Drainstrom:	12A
Maximaler Leistungsverlust:	45W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	55V
Transistor-Typ:	P-MOSFET

Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRF9Z24NPBF RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt

Auf Lager:

185 stk.

Anzahl Stück	2+	10+	50+	200+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,6186	0,3919	0,3093	0,2810	0,2692

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF9Z24NPBF Gehäuse: TO220

Externes Lager:

530 stk.

Anzahl Stück	10+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,3039

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF9Z24NPBF Gehäuse: TO220

Externes Lager:

5550 stk.

Anzahl Stück	2000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,2692

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF9Z24NPBF Gehäuse: TO220

Externes Lager:

11236 stk.

Anzahl Stück	500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,2692

Widerstand im offenen Kanal:	175mOhm
Max. Drainstrom:	12A
Maximaler Leistungsverlust:	45W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	55V
Transistor-Typ:	P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	THT