IRF9Z24N

Symbol Micros: TIRF9Z24n
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
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P-Channel-MOSFET-Transistor; 55V; 20V; 175 mOhm; 12A; 45W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRF9Z24NPBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 175mOhm
Max. Drainstrom: 12A
Maximaler Leistungsverlust: 45W
Gehäuse: TO220
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 55V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRF9Z24NPBF RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
135 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,6113 0,3873 0,3057 0,2777 0,2660
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Standard-Verpackung:
50/200
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF9Z24NPBF Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
2800 stk.
Anzahl Stück 50+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,2660
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Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF9Z24NPBF Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
960 stk.
Anzahl Stück 10+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,3442
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Standard-Verpackung:
10
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 175mOhm
Max. Drainstrom: 12A
Maximaler Leistungsverlust: 45W
Gehäuse: TO220
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 55V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT

Symbol Micros

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