IRF9Z24SPBF

Symbol Micros: TIRF9Z24s
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: D2PAK
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P-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 280 mOhm; 11A; 60W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRF9Z24SPBF; IRF9Z24STRLPBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 280mOhm
Max. Drainstrom: 11A
Maximaler Leistungsverlust: 60W
Gehäuse: D2PAK
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRF9Z24STRLPBF Gehäuse: D2PAK  
Externes Lager:
800 stk.
Anzahl Stück 800+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,3715
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Standard-Verpackung:
800
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRF9Z24SPBF Gehäuse: D2PAK  
Externes Lager:
1924 stk.
Anzahl Stück 1000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,3572
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Standard-Verpackung:
1000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRF9Z24SPBF Gehäuse: D2PAK  
Externes Lager:
3424 stk.
Anzahl Stück 350+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,3541
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Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 280mOhm
Max. Drainstrom: 11A
Maximaler Leistungsverlust: 60W
Gehäuse: D2PAK
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD

Symbol Micros

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