IRF9Z34N

Symbol Micros: TIRF9Z34n

Gehäuse: TO220

P-Channel-MOSFET-Transistor; 55V; 20V; 100 mOhm; 19A; 68W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRF9Z34NPBF;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	100mOhm
Max. Drainstrom:	19A
Maximaler Leistungsverlust:	68W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung:	55V
Transistor-Typ:	P-MOSFET

Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRF9Z34N RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt

Auf Lager:

162 stk.

Anzahl Stück	2+	10+	50+	200+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,6691	0,4249	0,3357	0,3052	0,2911

Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRF9Z34NPBF RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt

Auf Lager:

150 stk.

Anzahl Stück	2+	10+	50+	200+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,6691	0,4249	0,3357	0,3052	0,2911

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF9Z34NPBF Gehäuse: TO220

Externes Lager:

25321 stk.

Anzahl Stück	500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,2911

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF9Z34NPBF Gehäuse: TO220

Externes Lager:

6130 stk.

Anzahl Stück	10+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,3123

Widerstand im offenen Kanal:	100mOhm
Max. Drainstrom:	19A
Maximaler Leistungsverlust:	68W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung:	55V
Transistor-Typ:	P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	THT

Anzahl Stück	1+	5+	20+	50+	300+
Nettopreis (EUR)	0,8827	0,5845	0,4813	0,4484	0,4202