IRF9Z34N

Symbol Micros: TIRF9Z34n

Gehäuse: TO220

P-Channel-MOSFET-Transistor; 55V; 20V; 100 mOhm; 19A; 68W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRF9Z34NPBF;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	100mOhm
Max. Drainstrom:	19A
Maximaler Leistungsverlust:	68W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung:	55V
Transistor-Typ:	P-MOSFET

Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRF9Z34N RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt

Auf Lager:

1787 stk.

Anzahl Stück	2+	10+	50+	200+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,6446	0,4070	0,3223	0,2941	0,2800

Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRF9Z34NPBF RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt

Auf Lager:

100 stk.

Anzahl Stück	2+	10+	50+	200+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,6446	0,4070	0,3223	0,2941	0,2800

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF9Z34NPBF Gehäuse: TO220

Externes Lager:

1600 stk.

Anzahl Stück	50+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR)	0,2800

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF9Z34NPBF Gehäuse: TO220

Externes Lager:

7050 stk.

Anzahl Stück	10+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR)	0,3397

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF9Z34NPBF Gehäuse: TO220

Externes Lager:

15291 stk.

Anzahl Stück	500+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR)	0,2800

Widerstand im offenen Kanal:	100mOhm
Max. Drainstrom:	19A
Maximaler Leistungsverlust:	68W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung:	55V
Transistor-Typ:	P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	THT

Anzahl Stück	1+	5+	20+	50+	300+
Nettopreis (EUR)	0,8846	0,5858	0,4823	0,4493	0,4211