IRFB11N50A

Name: TIRFB11n50a TIRFB11n50a
Brand: Vishay
SKU: TIRFB11n50a
Price: 0.8190 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TIRFB11n50a

Gehäuse: TO220

N-Channel-MOSFET-Transistor; 500V; 30V; 520 mOhm; 11A; 170 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRFB11N50APBF;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	520mOhm
Max. Drainstrom:	11A
Maximaler Leistungsverlust:	170W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	VISHAY
Max. Drain-Source Spannung:	500V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRFB11N50A RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt

Auf Lager:

4 stk.

Anzahl Stück	1+	3+	10+	50+	200+
Nettopreis (EUR)	1,5557	1,1885	0,9838	0,8614	0,8190

Hersteller: Siliconix Hersteller-Teilenummer: IRFB11N50APBF RoHS Gehäuse: TO220

Auf Lager:

50 stk.

Anzahl Stück	1+	3+	10+	50+	200+
Nettopreis (EUR)	1,5557	1,1885	0,9838	0,8614	0,8190

Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRFB11N50APBF Gehäuse: TO220

Externes Lager:

675 stk.

Anzahl Stück	25+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR)	1,0339

Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRFB11N50APBF Gehäuse: TO220

Externes Lager:

900 stk.

Anzahl Stück	450+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR)	0,8190

Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRFB11N50APBF Gehäuse: TO220

Externes Lager:

804 stk.

Anzahl Stück	200+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR)	0,8190

Widerstand im offenen Kanal:	520mOhm
Max. Drainstrom:	11A
Maximaler Leistungsverlust:	170W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	VISHAY
Max. Drain-Source Spannung:	500V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	30V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	THT