IRFB260NPBF Infineon

Symbol Micros: TIRFB260n
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220AB
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 200V; 20V; 40mOhm; 56A; 380 W; -55 °C ~ 175 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 40mOhm
Max. Drainstrom: 56A
Maximaler Leistungsverlust: 380W
Gehäuse: TO220AB
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 200V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRFB260N RoHS Gehäuse: TO220AB Datenblatt
Auf Lager:
100 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 3,8520 3,2612 2,9057 2,6749 2,5849
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Standard-Verpackung:
50/100
Widerstand im offenen Kanal: 40mOhm
Max. Drainstrom: 56A
Maximaler Leistungsverlust: 380W
Gehäuse: TO220AB
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 200V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT

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