IRFB3077PBF TO220AB

Symbol Micros: TIRFB3077
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 75V; 20V; 3,3 mOhm; 210A; 370 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFB3077GPBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 3,3mOhm
Max. Drainstrom: 210A
Maximaler Leistungsverlust: 370W
Gehäuse: TO220
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 75V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFB3077 RoHS Gehäuse: TO220  
Auf Lager:
50 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 1,5994 1,2217 1,0101 0,8850 0,8418
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Standard-Verpackung:
50
Widerstand im offenen Kanal: 3,3mOhm
Max. Drainstrom: 210A
Maximaler Leistungsverlust: 370W
Gehäuse: TO220
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 75V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT

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