IRFB3077PBF TO220AB

Name: TIRFB3077 TIRFB3077
Brand: International Rectifier
SKU: TIRFB3077
Price: 1.8920 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TIRFB3077

Gehäuse: TO220

N-Channel-MOSFET-Transistor; 75V; 20V; 3,3 mOhm; 210A; 370 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFB3077GPBF;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	3,3mOhm
Max. Drainstrom:	210A
Maximaler Leistungsverlust:	370W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	75V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRFB3077 RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt

Auf Lager:

14 stk.

Anzahl Stück	1+	3+	10+	50+	200+
Nettopreis (EUR)	2,6488	2,2893	2,0764	1,9440	1,8920

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFB3077PBFXKMA1 Gehäuse: TO220

Externes Lager:

2000 stk.

Anzahl Stück	150+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	1,8920

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFB3077PBF Gehäuse: TO220

Externes Lager:

32091 stk.

Anzahl Stück	200+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	1,8920

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFB3077PBF Gehäuse: TO220

Externes Lager:

800 stk.

Anzahl Stück	10+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	1,8920

Widerstand im offenen Kanal:	3,3mOhm
Max. Drainstrom:	210A
Maximaler Leistungsverlust:	370W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	75V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	THT