IRFB3077PBF TO220AB

Symbol Micros: TIRFB3077
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 75V; 20V; 3,3 mOhm; 210A; 370 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFB3077GPBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 3,3mOhm
Max. Drainstrom: 210A
Maximaler Leistungsverlust: 370W
Gehäuse: TO220
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 75V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRFB3077 RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
14 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 2,6551 2,2948 2,0814 1,9487 1,8965
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Standard-Verpackung:
50
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFB3077PBF Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
560 stk.
Anzahl Stück 10+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 1,8965
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Standard-Verpackung:
10
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 3,3mOhm
Max. Drainstrom: 210A
Maximaler Leistungsverlust: 370W
Gehäuse: TO220
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 75V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT

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