IRFB3206 TO220

Name: TIRFB3206 TIRFB3206
Brand: Infineon
SKU: TIRFB3206
Price: 0.7264 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TIRFB3206

Gehäuse: TO220

N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 3mOhm; 210A; 300 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFB3206PBF; IRFB 3206 PBF;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	3mOhm
Max. Drainstrom:	210A
Maximaler Leistungsverlust:	300W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Max. Gate-Source Spannung:	20V

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFB3206 RoHS Gehäuse: TO220

Auf Lager:

120 stk.

Anzahl Stück	1+	3+	10+	50+	200+
Nettopreis (EUR)	1,3799	1,0543	0,8721	0,7651	0,7264

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFB3206PBF Gehäuse: TO220

Externes Lager:

42 stk.

Anzahl Stück	1+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR)	1,2964

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFB3206PBF Gehäuse: TO220

Externes Lager:

280 stk.

Anzahl Stück	10+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR)	1,5779

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFB3206PBF Gehäuse: TO220

Externes Lager:

28699 stk.

Anzahl Stück	200+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR)	0,7391

Widerstand im offenen Kanal:	3mOhm
Max. Drainstrom:	210A
Maximaler Leistungsverlust:	300W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	THT