IRFB3206 TO220

Symbol Micros: TIRFB3206

Gehäuse: TO220

N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 3mOhm; 210A; 300 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFB3206PBF; IRFB 3206 PBF;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	3mOhm
Max. Drainstrom:	210A
Maximaler Leistungsverlust:	300W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFB3206 RoHS Gehäuse: TO220

Auf Lager:

100 stk.

Anzahl Stück	1+	3+	10+	50+	200+
Nettopreis (EUR)	1,4221	1,0865	0,8988	0,7885	0,7486

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFB 3206 PBF Gehäuse: TO220

Externes Lager:

92 stk.

Anzahl Stück	1+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	1,2935

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFB3206PBF Gehäuse: TO220

Externes Lager:

130 stk.

Anzahl Stück	10+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,8157

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFB3206PBF Gehäuse: TO220

Externes Lager:

11649 stk.

Anzahl Stück	300+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,7486

Widerstand im offenen Kanal:	3mOhm
Max. Drainstrom:	210A
Maximaler Leistungsverlust:	300W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	THT