IRFB3307

Symbol Micros: TIRFB3307

Gehäuse: TO220

N-Channel-MOSFET-Transistor; 75V; 20V; 6,3 mOhm; 130A; 250 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFB3307PBF;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	6,3mOhm
Maximaler Leistungsverlust:	250W
Max. Drainstrom:	130A
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	75V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFB3307PBF Gehäuse: TO220

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Anzahl Stück	200+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR)	0,7685

Widerstand im offenen Kanal:	6,3mOhm
Maximaler Leistungsverlust:	250W
Max. Drainstrom:	130A
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	75V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	THT