IRFB3607

Name: TIRFB3607 TIRFB3607
Brand: Infineon
SKU: TIRFB3607
Price: 0.5225 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TIRFB3607

Gehäuse: TO220

N-Channel-MOSFET-Transistor; 75V; 20V; 9mOhm; 80A; 140 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFB3607PBF; SP001551746;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	9mOhm
Max. Drainstrom:	80A
Maximaler Leistungsverlust:	140W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	75V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFB3607 RoHS Gehäuse: TO220

Auf Lager:

520 stk.

Anzahl Stück	1+	3+	10+	50+	200+
Nettopreis (EUR)	1,0964	0,8048	0,6462	0,5552	0,5225

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFB3607PBF Gehäuse: TO220

Externes Lager:

750 stk.

Anzahl Stück	50+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR)	0,5225

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFB3607PBF Gehäuse: TO220

Externes Lager:

3767 stk.

Anzahl Stück	400+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR)	0,5225

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFB3607PBF Gehäuse: TO220

Externes Lager:

1000 stk.

Anzahl Stück	1000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR)	0,5225

Widerstand im offenen Kanal:	9mOhm
Max. Drainstrom:	80A
Maximaler Leistungsverlust:	140W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	75V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	THT