IRFB3607

Name: TIRFB3607 TIRFB3607
Brand: Infineon
SKU: TIRFB3607
Price: 0.5188 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TIRFB3607

Gehäuse: TO220

N-Channel-MOSFET-Transistor; 75V; 20V; 9mOhm; 80A; 140 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFB3607PBF; SP001551746;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	9mOhm
Max. Drainstrom:	80A
Maximaler Leistungsverlust:	140W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	75V
Max. Gate-Source Spannung:	20V

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFB3607 RoHS Gehäuse: TO220

Auf Lager:

460 stk.

Anzahl Stück	1+	3+	10+	50+	200+
Nettopreis (EUR)	1,0885	0,7990	0,6415	0,5512	0,5188

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFB3607PBF Gehäuse: TO220

Externes Lager:

1380 stk.

Anzahl Stück	10+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR)	0,7421

Widerstand im offenen Kanal:	9mOhm
Max. Drainstrom:	80A
Maximaler Leistungsverlust:	140W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	75V
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	THT