IRFB3806

Symbol Micros: TIRFB3806
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Gehäuse: TO220
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 15,8 mOhm; 43A; 71W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFB3806PBF; IRFZ48PBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 15,8mOhm
Maximaler Leistungsverlust: 71W
Max. Drainstrom: 43A
Gehäuse: TO220
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRFB3806 RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
10 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 50+ 300+ 600+
Nettopreis (EUR) 1,0733 0,7140 0,5530 0,5180 0,5110
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Standard-Verpackung:
50/300
Widerstand im offenen Kanal: 15,8mOhm
Maximaler Leistungsverlust: 71W
Max. Drainstrom: 43A
Gehäuse: TO220
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT

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