IRFB38N20D

Name: TIRFB38n20d TIRFB38n20d
Brand: Infineon
SKU: TIRFB38n20d
Price: 0.8207 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TIRFB38n20d

Gehäuse: TO220

N-Channel-MOSFET-Transistor; 200V; 30V; 54mOhm; 43A; 300 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFB38N20DPBF;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	54mOhm
Max. Drainstrom:	43A
Maximaler Leistungsverlust:	300W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung:	200V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFB38N20DPBF Gehäuse: TO220

Externes Lager:

15574 stk.

Anzahl Stück	200+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,8148

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFB38N20DPBF Gehäuse: TO220

Externes Lager:

140 stk.

Anzahl Stück	10+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	1,1850

Widerstand im offenen Kanal:	54mOhm
Max. Drainstrom:	43A
Maximaler Leistungsverlust:	300W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung:	200V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	30V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	THT