IRFB4020

Symbol Micros: TIRFB4020
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 200V; 20V; 100 mOhm; 18A; 100 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFB4020PBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 100mOhm
Max. Drainstrom: 18A
Maximaler Leistungsverlust: 100W
Gehäuse: TO220
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 200V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRFB4020 RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
92 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 50+ 100+ 300+
Nettopreis (EUR) 1,8153 1,3450 1,1193 1,0934 1,0676
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Standard-Verpackung:
50/100
Widerstand im offenen Kanal: 100mOhm
Max. Drainstrom: 18A
Maximaler Leistungsverlust: 100W
Gehäuse: TO220
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 200V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT

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