IRFB4115

Symbol Micros: TIRFB4115

Gehäuse: TO220

N-Channel-MOSFET-Transistor; 150V; 20V; 11mOhm; 104A; 380 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFB4115PBF; SP001565902;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	11mOhm
Max. Drainstrom:	104A
Maximaler Leistungsverlust:	380W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	150V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFB4115 RoHS Gehäuse: TO220

Auf Lager:

75 stk.

Anzahl Stück	1+	5+	50+	100+	200+
Nettopreis (EUR)	3,7252	3,2018	2,9259	2,8906	2,8646

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFB4115PBF Gehäuse: TO220

Externes Lager:

940 stk.

Anzahl Stück	10+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	2,8646

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFB4115PBF Gehäuse: TO220

Externes Lager:

4495 stk.

Anzahl Stück	200+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	2,8646

Widerstand im offenen Kanal:	11mOhm
Max. Drainstrom:	104A
Maximaler Leistungsverlust:	380W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	150V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	THT