IRFB4115

Symbol Micros: TIRFB4115
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 150V; 20V; 11mOhm; 104A; 380 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFB4115PBF; SP001565902;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 11mOhm
Max. Drainstrom: 104A
Maximaler Leistungsverlust: 380W
Gehäuse: TO220
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 150V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFB4115 RoHS Gehäuse: TO220  
Auf Lager:
75 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 50+ 100+ 200+
Nettopreis (EUR) 3,3758 2,9016 2,6528 2,6199 2,5964
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Standard-Verpackung:
50/100
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFB4115PBF Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
850 stk.
Anzahl Stück 10+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 2,5964
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Standard-Verpackung:
10
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFB4115PBF Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
2940 stk.
Anzahl Stück 200+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 2,5964
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Standard-Verpackung:
100
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 11mOhm
Max. Drainstrom: 104A
Maximaler Leistungsverlust: 380W
Gehäuse: TO220
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 150V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT

Symbol Micros

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