IRFB4127
Symbol Micros:
TIRFB4127
Gehäuse: TO220
N-Channel-MOSFET-Transistor; 200V; 20V; 20mOhm; 76A; 375 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFB4127PBF;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 20mOhm |
| Max. Drainstrom: | 76A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 375W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | Infineon (IRF) |
| Max. Drain-Source Spannung: | 200V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: International Rectifier
Hersteller-Teilenummer: IRFB4127 RoHS
Gehäuse: TO220
Datenblatt
Auf Lager:
38 stk.
| Anzahl Stück | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 3,5342 | 2,9377 | 2,5864 | 2,3648 | 2,2799 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRFB4127PBF
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
440 stk.
| Anzahl Stück | 1+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 2,2799 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRFB4127PBF
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
14000 stk.
| Anzahl Stück | 1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 2,2799 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRFB4127PBF
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
11405 stk.
| Anzahl Stück | 200+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 2,2799 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 20mOhm |
| Max. Drainstrom: | 76A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 375W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | Infineon (IRF) |
| Max. Drain-Source Spannung: | 200V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
| Montage: | THT |
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