IRFB4227PBF
Symbol Micros:
TIRFB4227
Gehäuse: TO220
N-MOSFET 65A 200V 330W 0.0197Ω IRFB4227PBF; IRFB4227PBFXKMA1; IRFB4227;
Parameter
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | Infineon (IRF) |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -40°C ~ 175°C |
| Montage: | THT |
Hersteller: International Rectifier
Hersteller-Teilenummer: IRFB4227 RoHS
Gehäuse: TO220
Datenblatt
Auf Lager:
11 stk.
| Anzahl Stück | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,9424 | 1,6292 | 1,4492 | 1,3370 | 1,2949 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRFB4227PBF
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
1470 stk.
| Anzahl Stück | 10+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,2949 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRFB4227PBF
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
6112 stk.
| Anzahl Stück | 1000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,2949 |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | Infineon (IRF) |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -40°C ~ 175°C |
| Montage: | THT |
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