IRFB4227PBF

Symbol Micros: TIRFB4227
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
N-MOSFET 65A 200V 330W 0.0197Ω IRFB4227PBF; IRFB4227PBFXKMA1; IRFB4227;
Parameter
Gehäuse: TO220
Hersteller: Infineon (IRF)
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -40°C ~ 175°C
Montage: THT
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRFB4227 RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
11 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 1,8986 1,5925 1,4165 1,3069 1,2657
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
50
Gehäuse: TO220
Hersteller: Infineon (IRF)
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -40°C ~ 175°C
Montage: THT

Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Löschen Sie Alle Auftragnehmer-Symbole

Symbol hinzufügen


Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Alle Auftragnehmer-Symbole