IRFB42N20D
Symbol Micros:
TIRFB42n20d
Gehäuse: TO220
N-MOSFET; 200V; 30V; 55mOhm; 44A; 330W; -55°C ~ 175°C; Äquivalent: IRFB42N20DPBF;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 55mOhm |
| Max. Drainstrom: | 44A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 330W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | Infineon (IRF) |
| Max. Drain-Source Spannung: | 200V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Widerstand im offenen Kanal: | 55mOhm |
| Max. Drainstrom: | 44A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 330W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | Infineon (IRF) |
| Max. Drain-Source Spannung: | 200V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 30V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
| Montage: | THT |
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