IRFB4310

Symbol Micros: TIRFB4310

Gehäuse: TO220

N-MOSFET; 100V; 20V; 7mOhm; 140A; 330W; -55°C ~ 175°C; Äquivalent: IRFB4310PBF;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	7mOhm
Max. Drainstrom:	140A
Maximaler Leistungsverlust:	330W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	100V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRFB4310PBF RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt

Auf Lager:

29 stk.

Anzahl Stück	1+	5+	50+	100+	200+
Nettopreis (EUR)	2,9495	2,3035	1,9734	1,9310	1,9027

Widerstand im offenen Kanal:	7mOhm
Max. Drainstrom:	140A
Maximaler Leistungsverlust:	330W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	100V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	THT