IRFB4310

Symbol Micros: TIRFB4310
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
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N-MOSFET; 100V; 20V; 7mOhm; 140A; 330W; -55°C ~ 175°C; Äquivalent: IRFB4310PBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 7mOhm
Max. Drainstrom: 140A
Maximaler Leistungsverlust: 330W
Gehäuse: TO220
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRFB4310PBF RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
24 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 50+ 100+ 200+
Nettopreis (EUR) 2,9368 2,2936 1,9649 1,9227 1,8945
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Standard-Verpackung:
50/100
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFB4310PBF Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
3100 stk.
Anzahl Stück 200+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 1,8945
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Standard-Verpackung:
100
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 7mOhm
Max. Drainstrom: 140A
Maximaler Leistungsverlust: 330W
Gehäuse: TO220
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT

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