IRFB4310z
Symbol Micros:
TIRFB4310z
Gehäuse: TO220
N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 6mOhm; 127A; 250 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFB4310ZPBF;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 6mOhm |
| Max. Drainstrom: | 127A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 250W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | Infineon (IRF) |
| Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRFB4310ZPBF
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
800 stk.
| Anzahl Stück | 10+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,1477 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRFB4310ZPBF
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
10905 stk.
| Anzahl Stück | 200+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,0012 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRFB4310ZPBF
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
8000 stk.
| Anzahl Stück | 1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,0542 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 6mOhm |
| Max. Drainstrom: | 127A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 250W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | Infineon (IRF) |
| Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
| Montage: | THT |
Symbol bearbeiten
Löschen in Verbindung mit dem Auftragnehmersymbol
Symbol hinzufügen
Abbrechen
Alle Auftragnehmer-Symbole