IRFB4332
Symbol Micros:
TIRFB4332
Gehäuse: TO220
N-Channel-MOSFET-Transistor; 250V; 30V; 33mOhm; 60A; 390 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFB4332PBF;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 33mOhm |
| Max. Drainstrom: | 60A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 390W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | Infineon (IRF) |
| Max. Drain-Source Spannung: | 250V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: International Rectifier
Hersteller-Teilenummer: IRFB4332PBF RoHS
Gehäuse: TO220
Auf Lager:
95 stk.
| Anzahl Stück | 1+ | 5+ | 50+ | 100+ | 300+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 2,5683 | 2,0377 | 1,7748 | 1,7419 | 1,7114 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRFB4332PBF
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
370 stk.
| Anzahl Stück | 10+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,7114 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRFB4332PBF
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
225660 stk.
| Anzahl Stück | 1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,7114 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRFB4332PBF
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
4180 stk.
| Anzahl Stück | 100+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,7114 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 33mOhm |
| Max. Drainstrom: | 60A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 390W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | Infineon (IRF) |
| Max. Drain-Source Spannung: | 250V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 30V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
| Montage: | THT |
Symbol bearbeiten
Löschen in Verbindung mit dem Auftragnehmersymbol
Symbol hinzufügen
Abbrechen
Alle Auftragnehmer-Symbole