IRFB4332

Symbol Micros: TIRFB4332
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
N-Channel-MOSFET-Transistor; 250V; 30V; 33mOhm; 60A; 390 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFB4332PBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 33mOhm
Max. Drainstrom: 60A
Maximaler Leistungsverlust: 390W
Gehäuse: TO220
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 250V
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRFB4332PBF RoHS Gehäuse: TO220  
Auf Lager:
95 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 50+ 100+ 300+
Nettopreis (EUR) 2,4889 1,9747 1,7199 1,6881 1,6585
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
50/100
Widerstand im offenen Kanal: 33mOhm
Max. Drainstrom: 60A
Maximaler Leistungsverlust: 390W
Gehäuse: TO220
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 250V
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT

Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Löschen Sie Alle Auftragnehmer-Symbole

Symbol hinzufügen


Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Alle Auftragnehmer-Symbole