IRFB4332

Symbol Micros: TIRFB4332
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
N-Channel-MOSFET-Transistor; 250V; 30V; 33mOhm; 60A; 390 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFB4332PBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 33mOhm
Max. Drainstrom: 60A
Maximaler Leistungsverlust: 390W
Gehäuse: TO220
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 250V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRFB4332PBF RoHS Gehäuse: TO220  
Auf Lager:
95 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 50+ 100+ 300+
Nettopreis (EUR) 2,5583 2,0298 1,7679 1,7351 1,7047
Standard-Verpackung:
50/100
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFB4332PBF Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
380 stk.
Anzahl Stück 10+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 1,7047
Standard-Verpackung:
10
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFB4332PBF Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
228760 stk.
Anzahl Stück 1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 1,7047
Standard-Verpackung:
1000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFB4332PBF Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
16180 stk.
Anzahl Stück 100+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 1,7047
Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 33mOhm
Max. Drainstrom: 60A
Maximaler Leistungsverlust: 390W
Gehäuse: TO220
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 250V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT