IRFB4332

Symbol Micros: TIRFB4332

Gehäuse: TO220

N-Channel-MOSFET-Transistor; 250V; 30V; 33mOhm; 60A; 390 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFB4332PBF;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	33mOhm
Maximaler Leistungsverlust:	390W
Max. Drainstrom:	60A
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	250V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRFB4332PBF RoHS Gehäuse: TO220

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95 stk.

Anzahl Stück	1+	5+	50+	100+	300+
Nettopreis (EUR)	2,5751	2,0431	1,7795	1,7465	1,7159

Widerstand im offenen Kanal:	33mOhm
Maximaler Leistungsverlust:	390W
Max. Drainstrom:	60A
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	250V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	30V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	THT