IRFB4332

Symbol Micros: TIRFB4332

Gehäuse: TO220

N-Channel-MOSFET-Transistor; 250V; 30V; 33mOhm; 60A; 390 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFB4332PBF;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	33mOhm
Max. Drainstrom:	60A
Maximaler Leistungsverlust:	390W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	250V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRFB4332PBF RoHS Gehäuse: TO220

Auf Lager:

95 stk.

Anzahl Stück	1+	5+	50+	100+	300+
Nettopreis (EUR)	2,5674	2,0370	1,7741	1,7413	1,7108

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFB4332PBF Gehäuse: TO220

Externes Lager:

400 stk.

Anzahl Stück	10+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	1,7108

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFB4332PBF Gehäuse: TO220

Externes Lager:

229900 stk.

Anzahl Stück	1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	1,7108

Widerstand im offenen Kanal:	33mOhm
Max. Drainstrom:	60A
Maximaler Leistungsverlust:	390W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	250V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	30V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	THT