IRFB4710

Symbol Micros: TIRFB4710
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 14mOhm; 75A; 200 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFB4710PBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 14mOhm
Max. Drainstrom: 75A
Maximaler Leistungsverlust: 200W
Gehäuse: TO220
Hersteller: International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRFB4710 RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
30 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 2,4204 2,0283 1,8029 1,6644 1,6128
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Standard-Verpackung:
50
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFB4710PBF Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
400 stk.
Anzahl Stück 10+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 1,6128
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Standard-Verpackung:
10
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 14mOhm
Max. Drainstrom: 75A
Maximaler Leistungsverlust: 200W
Gehäuse: TO220
Hersteller: International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT

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