IRFB52N15D

Symbol Micros: TIRFB52n15d
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 150V; 30V; 32mOhm; 60A; 320 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFB52N15DPBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 32mOhm
Max. Drainstrom: 60A
Maximaler Leistungsverlust: 320W
Gehäuse: TO220
Hersteller: International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung: 150V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRFB52N15DPBF RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
61 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 2,3570 1,9767 1,7560 1,6198 1,5705
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Standard-Verpackung:
50
Widerstand im offenen Kanal: 32mOhm
Max. Drainstrom: 60A
Maximaler Leistungsverlust: 320W
Gehäuse: TO220
Hersteller: International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung: 150V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT

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