IRFB52N15D
Symbol Micros:
TIRFB52n15d
Gehäuse: TO220
N-Channel-MOSFET-Transistor; 150V; 30V; 32mOhm; 60A; 320 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFB52N15DPBF;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 32mOhm |
| Max. Drainstrom: | 60A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 320W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | International Rectifier |
| Max. Drain-Source Spannung: | 150V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: International Rectifier
Hersteller-Teilenummer: IRFB52N15DPBF RoHS
Gehäuse: TO220
Datenblatt
Auf Lager:
61 stk.
| Anzahl Stück | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 2,3744 | 1,9913 | 1,7690 | 1,6318 | 1,5822 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRFB52N15DPBF
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
180 stk.
| Anzahl Stück | 10+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,5822 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRFB52N15DPBF
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
9151 stk.
| Anzahl Stück | 200+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,5822 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 32mOhm |
| Max. Drainstrom: | 60A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 320W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | International Rectifier |
| Max. Drain-Source Spannung: | 150V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 30V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
| Montage: | THT |
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