IRFB5620

Symbol Micros: TIRFB5620
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Gehäuse: TO220
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 200V; 20V; 72,5 mOhm; 25A; 144W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFB5620PBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 72,5mOhm
Max. Drainstrom: 25A
Maximaler Leistungsverlust: 144W
Gehäuse: TO220
Hersteller: International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung: 200V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRFB5620 RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
140 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 5,2952 4,4823 3,9923 3,6764 3,5533
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Standard-Verpackung:
50/200
Widerstand im offenen Kanal: 72,5mOhm
Max. Drainstrom: 25A
Maximaler Leistungsverlust: 144W
Gehäuse: TO220
Hersteller: International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung: 200V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT

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