IRFB7446 TO220AB

Symbol Micros: TIRFB7446
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220AB
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 40V; 20V; 3,9 mOhm; 123A; 99W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFB7446PBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 3,9mOhm
Max. Drainstrom: 123A
Maximaler Leistungsverlust: 99W
Gehäuse: TO220AB
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 40V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRFB7446 RoHS Gehäuse: TO220AB Datenblatt
Auf Lager:
12 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 50+ 100+ 300+
Nettopreis (EUR) 1,5243 1,1307 0,9396 0,9191 0,8964
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Standard-Verpackung:
50/100
Widerstand im offenen Kanal: 3,9mOhm
Max. Drainstrom: 123A
Maximaler Leistungsverlust: 99W
Gehäuse: TO220AB
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 40V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT

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