IRFB7446 TO220AB

Symbol Micros: TIRFB7446
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220AB
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 40V; 20V; 3,9 mOhm; 123A; 99W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFB7446PBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 3,9mOhm
Max. Drainstrom: 123A
Maximaler Leistungsverlust: 99W
Gehäuse: TO220AB
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 40V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRFB7446 RoHS Gehäuse: TO220AB Datenblatt
Auf Lager:
12 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 50+ 100+ 300+
Nettopreis (EUR) 1,5693 1,1641 0,9673 0,9463 0,9228
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Standard-Verpackung:
50/100
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFB7446PBF Gehäuse: TO220AB  
Externes Lager:
140 stk.
Anzahl Stück 10+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,9228
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Standard-Verpackung:
10
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFB7446PBF Gehäuse: TO220AB  
Externes Lager:
30750 stk.
Anzahl Stück 2000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,9228
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Standard-Verpackung:
1000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 3,9mOhm
Max. Drainstrom: 123A
Maximaler Leistungsverlust: 99W
Gehäuse: TO220AB
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 40V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT

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