IRFB7530

Symbol Micros: TIRFB7530
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Gehäuse: TO220
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 2,1 mOhm; 295A; 375 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFB7530PBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 2,1mOhm
Maximaler Leistungsverlust: 375W
Max. Drainstrom: 295A
Gehäuse: TO220
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRFB7530 RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
40 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 2,2867 1,9180 1,7033 1,5727 1,5237
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Standard-Verpackung:
50/450
Widerstand im offenen Kanal: 2,1mOhm
Maximaler Leistungsverlust: 375W
Max. Drainstrom: 295A
Gehäuse: TO220
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT

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