IRFB7534PBF Infineon

Symbol Micros: TIRFB7534

Gehäuse: TO220AB

N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 2,6 mOhm; 232A; 294 W; -55 °C ~ 175 °C;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	2,6mOhm
Max. Drainstrom:	232A
Maximaler Leistungsverlust:	294W
Gehäuse:	TO220AB
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRFB7534 RoHS Gehäuse: TO220AB Datenblatt

Auf Lager:

110 stk.

Anzahl Stück	1+	5+	20+	50+	250+
Nettopreis (EUR)	1,5330	1,1339	0,9907	0,9437	0,9015

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFB7534PBF Gehäuse: TO220AB

Externes Lager:

1000 stk.

Anzahl Stück	1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,9015

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFB7534PBF Gehäuse: TO220AB

Externes Lager:

1454 stk.

Anzahl Stück	200+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,9015

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFB7534PBF Gehäuse: TO220AB

Externes Lager:

280 stk.

Anzahl Stück	10+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,9015

Widerstand im offenen Kanal:	2,6mOhm
Max. Drainstrom:	232A
Maximaler Leistungsverlust:	294W
Gehäuse:	TO220AB
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	THT