IRFB7534PBF Infineon

Symbol Micros: TIRFB7534
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220AB
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 2,6 mOhm; 232A; 294 W; -55 °C ~ 175 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 2,6mOhm
Max. Drainstrom: 232A
Maximaler Leistungsverlust: 294W
Gehäuse: TO220AB
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRFB7534 RoHS Gehäuse: TO220AB Datenblatt
Auf Lager:
100 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 20+ 50+ 250+
Nettopreis (EUR) 1,4876 1,1004 0,9614 0,9158 0,8748
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Standard-Verpackung:
50/250
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFB7534PBF Gehäuse: TO220AB  
Externes Lager:
200 stk.
Anzahl Stück 10+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 1,3460
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Standard-Verpackung:
10
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 2,6mOhm
Max. Drainstrom: 232A
Maximaler Leistungsverlust: 294W
Gehäuse: TO220AB
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT

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