IRFB7545PBF

Symbol Micros: TIRFB7545
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
N-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 6,3 mOhm; 95A; 125 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFZ48VPBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 6,3mOhm
Max. Drainstrom: 95A
Maximaler Leistungsverlust: 125W
Gehäuse: TO220
Hersteller: International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFB7545 RoHS Gehäuse: TO220  
Auf Lager:
100 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 0,8493 0,6232 0,4985 0,4293 0,4039
Standard-Verpackung:
50/200
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFB7545PBF Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
6750 stk.
Anzahl Stück 1000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,4291
Standard-Verpackung:
1000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFB7545PBF Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
32575 stk.
Anzahl Stück 300+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,4403
Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFB7545PBF Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
1460 stk.
Anzahl Stück 10+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,6255
Standard-Verpackung:
10
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 6,3mOhm
Max. Drainstrom: 95A
Maximaler Leistungsverlust: 125W
Gehäuse: TO220
Hersteller: International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT