IRFB7545PBF
Symbol Micros:
TIRFB7545
Gehäuse: TO220
N-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 6,3 mOhm; 95A; 125 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFZ48VPBF;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 6,3mOhm |
| Max. Drainstrom: | 95A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 125W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | International Rectifier |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRFB7545 RoHS
Gehäuse: TO220
Auf Lager:
100 stk.
| Anzahl Stück | 1+ | 5+ | 50+ | 200+ | 400+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,1785 | 0,7817 | 0,6033 | 0,5705 | 0,5611 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRFB7545PBF
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
1420 stk.
| Anzahl Stück | 10+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,5611 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRFB7545PBF
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
19062 stk.
| Anzahl Stück | 450+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,5611 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 6,3mOhm |
| Max. Drainstrom: | 95A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 125W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | International Rectifier |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
| Montage: | THT |
Symbol bearbeiten
Löschen in Verbindung mit dem Auftragnehmersymbol
Symbol hinzufügen
Abbrechen
Alle Auftragnehmer-Symbole