IRFB7545PBF

Symbol Micros: TIRFB7545
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
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N-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 6,3 mOhm; 95A; 125 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFZ48VPBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 6,3mOhm
Maximaler Leistungsverlust: 125W
Max. Drainstrom: 95A
Gehäuse: TO220
Hersteller: International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFB7545 RoHS Gehäuse: TO220  
Auf Lager:
100 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 50+ 200+ 400+
Nettopreis (EUR) 1,1713 0,7770 0,5997 0,5670 0,5577
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Standard-Verpackung:
50/200
Widerstand im offenen Kanal: 6,3mOhm
Maximaler Leistungsverlust: 125W
Max. Drainstrom: 95A
Gehäuse: TO220
Hersteller: International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT

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