IRFBC20

Symbol Micros: TIRFBC20
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 600V; 20V; 4,4 Ohm; 2,2A; 50W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRFBC20PBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 4,4Ohm
Max. Drainstrom: 2,2A
Maximaler Leistungsverlust: 50W
Gehäuse: TO220
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 600V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRFBC20 Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
200 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 100+ 350+
Nettopreis (EUR) 0,7193 0,4513 0,3526 0,3315 0,3126
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Standard-Verpackung:
50/350
Widerstand im offenen Kanal: 4,4Ohm
Max. Drainstrom: 2,2A
Maximaler Leistungsverlust: 50W
Gehäuse: TO220
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 600V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

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