IRFBC20
Symbol Micros:
TIRFBC20
Gehäuse: TO220
N-Channel-MOSFET-Transistor; 600V; 20V; 4,4 Ohm; 2,2A; 50W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRFBC20PBF;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 4,4Ohm |
| Max. Drainstrom: | 2,2A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 50W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | Infineon (IRF) |
| Max. Drain-Source Spannung: | 600V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: International Rectifier
Hersteller-Teilenummer: IRFBC20
Gehäuse: TO220
Datenblatt
Auf Lager:
200 stk.
| Anzahl Stück | 2+ | 10+ | 50+ | 100+ | 350+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,7180 | 0,4505 | 0,3520 | 0,3308 | 0,3121 |
Hersteller: Vishay
Hersteller-Teilenummer: IRFBC20PBF
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
2150 stk.
| Anzahl Stück | 400+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,3193 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 4,4Ohm |
| Max. Drainstrom: | 2,2A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 50W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | Infineon (IRF) |
| Max. Drain-Source Spannung: | 600V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | THT |
Symbol bearbeiten
Löschen in Verbindung mit dem Auftragnehmersymbol
Symbol hinzufügen
Abbrechen
Alle Auftragnehmer-Symbole