IRFBC40

Name: TIRFBC40 TIRFBC40
Brand: Siliconix
SKU: TIRFBC40
Price: 0.6117 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TIRFBC40

Gehäuse: TO220

N-Channel-MOSFET-Transistor; 600V; 20V; 1,2 Ohm; 6,2A; 125 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BUZ90A; IRFBC40PBF;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	1,2Ohm
Max. Drainstrom:	6,2A
Maximaler Leistungsverlust:	125W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	VISHAY
Max. Drain-Source Spannung:	600V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: Siliconix Hersteller-Teilenummer: IRFBC40PBF RoHS Gehäuse: TO220

Auf Lager:

167 stk.

Anzahl Stück	1+	5+	20+	50+	250+
Nettopreis (EUR)	1,1622	0,8116	0,6869	0,6470	0,6117

Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRFBC40PBF Gehäuse: TO220

Externes Lager:

8000 stk.

Anzahl Stück	25+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR)	0,6708

Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRFBC40PBF Gehäuse: TO220

Externes Lager:

1925 stk.

Anzahl Stück	250+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR)	0,6117

Widerstand im offenen Kanal:	1,2Ohm
Max. Drainstrom:	6,2A
Maximaler Leistungsverlust:	125W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	VISHAY
Max. Drain-Source Spannung:	600V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	THT