IRFBE30

Symbol Micros: TIRFBE30
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
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N-MOSFET-Transistor; 800V; 20V; 3Ohm; 4.1A; 125 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRFBE30PBF;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 3Ohm
Max. Drainstrom: 4,1A
Maximaler Leistungsverlust: 125W
Gehäuse: TO220
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 800V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Siliconix Hersteller-Teilenummer: IRFBE30 RoHS Gehäuse: TO220  
Auf Lager:
60 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 50+ 100+ 400+
Nettopreis (EUR) 1,6191 1,1345 0,9085 0,8806 0,8526
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Standard-Verpackung:
50/100
Widerstand im offenen Kanal: 3Ohm
Max. Drainstrom: 4,1A
Maximaler Leistungsverlust: 125W
Gehäuse: TO220
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 800V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

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