IRFBF30

Name: TIRFBF30 TIRFBF30
Brand: Vishay
SKU: TIRFBF30
Price: 0.6949 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TIRFBF30

Gehäuse: TO220

N-MOSFET-Transistor; 900V; 20V; 3,7 Ohm; 3,6A; 125 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRFBF30PBF;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	3,7Ohm
Max. Drainstrom:	3,6A
Maximaler Leistungsverlust:	125W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	VISHAY
Max. Drain-Source Spannung:	900V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: Siliconix Hersteller-Teilenummer: IRFBF30 RoHS Gehäuse: TO220

Auf Lager:

80 stk.

Anzahl Stück	1+	5+	50+	100+	400+
Nettopreis (EUR)	1,3193	0,9249	0,7395	0,7184	0,6949

Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRFBF30PBF Gehäuse: TO220

Externes Lager:

850 stk.

Anzahl Stück	150+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,7460

Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRFBF30PBF Gehäuse: TO220

Externes Lager:

2240 stk.

Anzahl Stück	550+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,6949

Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRFBF30PBF Gehäuse: TO220

Externes Lager:

200 stk.

Anzahl Stück	25+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,7712

Widerstand im offenen Kanal:	3,7Ohm
Max. Drainstrom:	3,6A
Maximaler Leistungsverlust:	125W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	VISHAY
Max. Drain-Source Spannung:	900V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	THT