IRFBF30

Symbol Micros: TIRFBF30
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Gehäuse: TO220
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N-MOSFET-Transistor; 900V; 20V; 3,7 Ohm; 3,6A; 125 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRFBF30PBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 3,7Ohm
Maximaler Leistungsverlust: 125W
Max. Drainstrom: 3,6A
Gehäuse: TO220
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 900V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Siliconix Hersteller-Teilenummer: IRFBF30 RoHS Gehäuse: TO220  
Auf Lager:
80 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 50+ 100+ 400+
Nettopreis (EUR) 1,3113 0,9193 0,7350 0,7140 0,6907
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Standard-Verpackung:
50/100
Widerstand im offenen Kanal: 3,7Ohm
Maximaler Leistungsverlust: 125W
Max. Drainstrom: 3,6A
Gehäuse: TO220
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 900V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

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