IRFBF30

Name: TIRFBF30 TIRFBF30
Brand: Vishay
SKU: TIRFBF30
Price: 0.6929 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TIRFBF30

Gehäuse: TO220

N-MOSFET-Transistor; 900V; 20V; 3,7 Ohm; 3,6A; 125 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRFBF30PBF;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	3,7Ohm
Max. Drainstrom:	3,6A
Maximaler Leistungsverlust:	125W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	VISHAY
Max. Drain-Source Spannung:	900V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: Siliconix Hersteller-Teilenummer: IRFBF30 RoHS Gehäuse: TO220

Auf Lager:

80 stk.

Anzahl Stück	1+	5+	50+	100+	400+
Nettopreis (EUR)	1,3155	0,9223	0,7373	0,7163	0,6929

Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRFBF30PBF Gehäuse: TO220

Externes Lager:

300 stk.

Anzahl Stück	150+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,7226

Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRFBF30PBF Gehäuse: TO220

Externes Lager:

3290 stk.

Anzahl Stück	200+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,6929

Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRFBF30PBF Gehäuse: TO220

Externes Lager:

1015 stk.

Anzahl Stück	1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,6929

Widerstand im offenen Kanal:	3,7Ohm
Max. Drainstrom:	3,6A
Maximaler Leistungsverlust:	125W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	VISHAY
Max. Drain-Source Spannung:	900V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	THT