IRFBG20

Name: TIRFBG20 TIRFBG20
Brand: Vishay
SKU: TIRFBG20
Price: 0.4718 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TIRFBG20

Gehäuse: TO220

N-MOSFET-Transistor; 1000V; 20V; 11Ohm; 1,4A; 54W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRFBG20PBF;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	11Ohm
Max. Drainstrom:	1,4A
Maximaler Leistungsverlust:	54W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	VISHAY
Max. Drain-Source Spannung:	1000V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRFBG20 RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt

Auf Lager:

30 stk.

Anzahl Stück	1+	3+	10+	50+	200+
Nettopreis (EUR)	0,9902	0,7262	0,5824	0,4998	0,4715

Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRFBG20PBF Gehäuse: TO220

Externes Lager:

2341 stk.

Anzahl Stück	250+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,4718

Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRFBG20PBF Gehäuse: TO220

Externes Lager:

350 stk.

Anzahl Stück	250+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,5624

Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRFBG20PBF Gehäuse: TO220

Externes Lager:

425 stk.

Anzahl Stück	25+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,6040

Widerstand im offenen Kanal:	11Ohm
Max. Drainstrom:	1,4A
Maximaler Leistungsverlust:	54W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	VISHAY
Max. Drain-Source Spannung:	1000V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	THT