IRFBG20

Name: TIRFBG20 TIRFBG20
Brand: Vishay
SKU: TIRFBG20
Price: 0.4572 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TIRFBG20

Gehäuse: TO220

N-MOSFET-Transistor; 1000V; 20V; 11Ohm; 1,4A; 54W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRFBG20PBF;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	11Ohm
Max. Drainstrom:	1,4A
Maximaler Leistungsverlust:	54W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	VISHAY
Max. Drain-Source Spannung:	1000V
Max. Gate-Source Spannung:	20V

Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRFBG20 RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt

Auf Lager:

20 stk.

Anzahl Stück	1+	3+	10+	50+	200+
Nettopreis (EUR)	0,9601	0,7041	0,5646	0,4846	0,4572

Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRFBG20PBF Gehäuse: TO220

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1300 stk.

Anzahl Stück	50+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR)	0,4572

Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRFBG20PBF Gehäuse: TO220

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275 stk.

Anzahl Stück	25+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR)	0,7481

Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRFBG20PBF Gehäuse: TO220

Externes Lager:

6562 stk.

Anzahl Stück	1000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR)	0,4795

Widerstand im offenen Kanal:	11Ohm
Max. Drainstrom:	1,4A
Maximaler Leistungsverlust:	54W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	VISHAY
Max. Drain-Source Spannung:	1000V
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	THT