IRFBG20

Name: TIRFBG20 TIRFBG20
Brand: Vishay
SKU: TIRFBG20
Price: 0.4860 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TIRFBG20

Gehäuse: TO220

N-MOSFET-Transistor; 1000V; 20V; 11Ohm; 1,4A; 54W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRFBG20PBF;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	11Ohm
Max. Drainstrom:	1,4A
Maximaler Leistungsverlust:	54W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	VISHAY
Max. Drain-Source Spannung:	1000V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRFBG20 RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt

Auf Lager:

30 stk.

Anzahl Stück	1+	3+	10+	50+	200+
Nettopreis (EUR)	0,9819	0,7200	0,5774	0,4956	0,4676

Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRFBG20PBF Gehäuse: TO220

Externes Lager:

325 stk.

Anzahl Stück	25+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR)	0,6498

Widerstand im offenen Kanal:	11Ohm
Max. Drainstrom:	1,4A
Maximaler Leistungsverlust:	54W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	VISHAY
Max. Drain-Source Spannung:	1000V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	THT