IRFBG20

Symbol Micros: TIRFBG20
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
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N-MOSFET-Transistor; 1000V; 20V; 11Ohm; 1,4A; 54W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRFBG20PBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 11Ohm
Max. Drainstrom: 1,4A
Maximaler Leistungsverlust: 54W
Gehäuse: TO220
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 1000V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRFBG20 RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
20 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 0,9555 0,7007 0,5619 0,4823 0,4550
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Standard-Verpackung:
50
Widerstand im offenen Kanal: 11Ohm
Max. Drainstrom: 1,4A
Maximaler Leistungsverlust: 54W
Gehäuse: TO220
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 1000V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

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