IRFBG30

Name: TIRFBG30 TIRFBG30
Brand: Vishay
SKU: TIRFBG30
Price: 0.7824 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TIRFBG30

Gehäuse: TO220

N-Channel-MOSFET-Transistor; 1000V; 20V; 5Ohm; 3.1A; 125 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRFBG30PBF;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	5Ohm
Max. Drainstrom:	3,1A
Maximaler Leistungsverlust:	125W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	VISHAY
Max. Drain-Source Spannung:	1000V
Max. Gate-Source Spannung:	20V

Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRFBG30PBF RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt

Auf Lager:

63 stk.

Anzahl Stück	1+	5+	50+	200+	400+
Nettopreis (EUR)	1,4863	1,0409	0,8332	0,7939	0,7824

Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRFBG30PBF Gehäuse: TO220

Externes Lager:

2050 stk.

Anzahl Stück	50+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR)	0,7824

Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRFBG30PBF Gehäuse: TO220

Externes Lager:

925 stk.

Anzahl Stück	25+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR)	1,0961

Widerstand im offenen Kanal:	5Ohm
Max. Drainstrom:	3,1A
Maximaler Leistungsverlust:	125W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	VISHAY
Max. Drain-Source Spannung:	1000V
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	THT