IRFD024

Symbol Micros: TIRFD024
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Gehäuse: PDIP04HVMDIP
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 100 mOhm; 2,5A; 1,3 W; -55 °C ~ 175 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 100mOhm
Max. Drainstrom: 2,5A
Maximaler Leistungsverlust: 1,3W
Gehäuse: PDIP04HVMDIP
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Siliconix Hersteller-Teilenummer: IRFD024PBF RoHS Gehäuse: PDIP04HVMDIP  
Auf Lager:
50 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 0,9285 0,6817 0,5453 0,4678 0,4419
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Standard-Verpackung:
50
Widerstand im offenen Kanal: 100mOhm
Max. Drainstrom: 2,5A
Maximaler Leistungsverlust: 1,3W
Gehäuse: PDIP04HVMDIP
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT

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