IRFD110

Symbol Micros: TIRFD110
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: PDIP04HVMDIP
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 540 mOhm; 1A; 1,3 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFD110PBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 540mOhm
Max. Drainstrom: 1A
Maximaler Leistungsverlust: 1,3W
Gehäuse: PDIP04HVMDIP
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Siliconix Hersteller-Teilenummer: IRFD110PBF RoHS Gehäuse: PDIP04HVMDIP  
Auf Lager:
100 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
Nettopreis (EUR) 0,6477 0,4066 0,3380 0,3002 0,2813
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Standard-Verpackung:
100
Widerstand im offenen Kanal: 540mOhm
Max. Drainstrom: 1A
Maximaler Leistungsverlust: 1,3W
Gehäuse: PDIP04HVMDIP
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT

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