IRFD110
Symbol Micros:
TIRFD110
Gehäuse: PDIP04HVMDIP
N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 540 mOhm; 1A; 1,3 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFD110PBF;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 540mOhm |
| Max. Drainstrom: | 1A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 1,3W |
| Gehäuse: | PDIP04HVMDIP |
| Hersteller: | VISHAY |
| Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Widerstand im offenen Kanal: | 540mOhm |
| Max. Drainstrom: | 1A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 1,3W |
| Gehäuse: | PDIP04HVMDIP |
| Hersteller: | VISHAY |
| Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
| Montage: | THT |
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