IRFD120

Symbol Micros: TIRFD120
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Gehäuse: PDIP04HVMDIP
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 270 mOhm; 1,3A; 1,3 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFD120PBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 270mOhm
Max. Drainstrom: 1,3A
Maximaler Leistungsverlust: 1,3W
Gehäuse: PDIP04HVMDIP
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Siliconix Hersteller-Teilenummer: IRFD120 RoHS Gehäuse: PDIP04HVMDIP  
Auf Lager:
200 stk.
Anzahl Stück 2+ 15+ 100+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,6223 0,3640 0,2935 0,2818 0,2701
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Standard-Verpackung:
100/200
Widerstand im offenen Kanal: 270mOhm
Max. Drainstrom: 1,3A
Maximaler Leistungsverlust: 1,3W
Gehäuse: PDIP04HVMDIP
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT

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