IRFD220
Symbol Micros:
TIRFD220
Gehäuse: PDIP04HVMDIP
N-MOSFET-Transistor; 200V; 20V; 800 mOhm; 800mA; 1W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRFD220PBF;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 800mOhm |
| Max. Drainstrom: | 800mA |
| Maximaler Leistungsverlust: | 1W |
| Gehäuse: | PDIP04HVMDIP |
| Hersteller: | VISHAY |
| Max. Drain-Source Spannung: | 200V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Widerstand im offenen Kanal: | 800mOhm |
| Max. Drainstrom: | 800mA |
| Maximaler Leistungsverlust: | 1W |
| Gehäuse: | PDIP04HVMDIP |
| Hersteller: | VISHAY |
| Max. Drain-Source Spannung: | 200V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | THT |
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