IRFD420

Symbol Micros: TIRFD420

Gehäuse: PDIP04HVMDIP

N-MOSFET-Transistor; 500V; 20V; 3Ohm; 370mA; 1W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRFD420PBF;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	3Ohm
Max. Drainstrom:	370mA
Maximaler Leistungsverlust:	1W
Gehäuse:	PDIP04HVMDIP
Hersteller:	VISHAY
Max. Drain-Source Spannung:	500V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: Siliconix Hersteller-Teilenummer: IRFD420 RoHS Gehäuse: PDIP04HVMDIP

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21 stk.

Anzahl Stück	2+	10+	30+	100+	400+
Nettopreis (EUR)	0,8384	0,5260	0,4368	0,3875	0,3640

Widerstand im offenen Kanal:	3Ohm
Max. Drainstrom:	370mA
Maximaler Leistungsverlust:	1W
Gehäuse:	PDIP04HVMDIP
Hersteller:	VISHAY
Max. Drain-Source Spannung:	500V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	THT