IRFD9110

Symbol Micros: TIRFD9110

Gehäuse: PDIP04HVMDIP

P-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 1,2 Ohm; 700mA; 1,3 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFD9110PBF;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	1,2Ohm
Max. Drainstrom:	700mA
Maximaler Leistungsverlust:	1,3W
Gehäuse:	PDIP04HVMDIP
Hersteller:	VISHAY
Max. Drain-Source Spannung:	100V
Transistor-Typ:	P-MOSFET

Hersteller: Siliconix Hersteller-Teilenummer: IRFD9110 RoHS Gehäuse: PDIP04HVMDIP

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Anzahl Stück	2+	15+	100+	300+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,5745	0,3189	0,2509	0,2368	0,2298

Widerstand im offenen Kanal:	1,2Ohm
Max. Drainstrom:	700mA
Maximaler Leistungsverlust:	1,3W
Gehäuse:	PDIP04HVMDIP
Hersteller:	VISHAY
Max. Drain-Source Spannung:	100V
Transistor-Typ:	P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	THT