IRFD9110

Symbol Micros: TIRFD9110
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Gehäuse: PDIP04HVMDIP
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P-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 1,2 Ohm; 700mA; 1,3 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFD9110PBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 1,2Ohm
Max. Drainstrom: 700mA
Maximaler Leistungsverlust: 1,3W
Gehäuse: PDIP04HVMDIP
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: Siliconix Hersteller-Teilenummer: IRFD9110 RoHS Gehäuse: PDIP04HVMDIP  
Auf Lager:
100 stk.
Anzahl Stück 2+ 15+ 100+ 300+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,5752 0,3193 0,2512 0,2371 0,2301
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Standard-Verpackung:
100
Widerstand im offenen Kanal: 1,2Ohm
Max. Drainstrom: 700mA
Maximaler Leistungsverlust: 1,3W
Gehäuse: PDIP04HVMDIP
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT

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