IRFD9120

Symbol Micros: TIRFD9120
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: PDIP04HVMDIP
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P-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 600 mOhm; 1A; 1,3 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFD9120PBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 600mOhm
Max. Drainstrom: 1A
Maximaler Leistungsverlust: 1,3W
Gehäuse: PDIP04HVMDIP
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRFD9120PBF RoHS Gehäuse: PDIP04HVMDIP  
Auf Lager:
100 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 20+ 100+ 400+
Nettopreis (EUR) 1,1996 0,8404 0,7137 0,6526 0,6315
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Standard-Verpackung:
100
Hersteller: Siliconix Hersteller-Teilenummer: IRFD9120PBF RoHS Gehäuse: PDIP04HVMDIP  
Auf Lager:
7 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 20+ 100+ 400+
Nettopreis (EUR) 1,1996 0,8404 0,7137 0,6526 0,6315
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Standard-Verpackung:
100/600
Widerstand im offenen Kanal: 600mOhm
Max. Drainstrom: 1A
Maximaler Leistungsverlust: 1,3W
Gehäuse: PDIP04HVMDIP
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT

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